第五章 承上启下的发现 (第3/4页)

过考试呢？”周新在电话里反问道。

    胡正明笑了笑：“只要你能够证明邮件是你本人写的。

    那么我也会帮你搞定转校和奖学金的事情。

    只是说你需要来伯克利把本科没有上完的课程补完。”

    作为半导体界教父级的人物，在伯克利呆了二十多年时间，想要帮学生搞定奖学金，用轻而易举来形容毫不夸张。

    胡正明很欣赏周新，不仅仅是因为那封邮件，也是因为对方在沟通中表现出来的坦诚，以及这口流利的英语。

    甚至在一些语气词里都和他一样。

    周新在阿美利肯期间，主要沟通对象之一就是胡正明，口语主要就是在阿美利肯那几年突飞猛进的。

    口语表达上二人当然会有相似之处。

    周新在电话那头笑了笑：“好。”

    “MOSFET模型可以将Em与所有器件参数和偏置电压相关联，描述了它在解释和指导热电子缩放中的用途，你是如何想到通过电路仿真的预测性来对MOSFET进行互连建模？”

    跨越数千公里的电话线，两头不仅仅是地理上的距离，更是时间上的距离。

    周新发给胡正明的解答，是胡正明自己在2000年的论文，发表在2000年的IEEE集成电路会议论文集上，在胡正明超过九百篇论文里被引用次数排名第八。

    虽然排名不是很高，但是却起到了承上启下的作用。退出转码页面，请下载app爱读小说阅读最新章节。

    胡正明最大的贡献是，将半导体的2D结构，研发优化出了3D结构，也就是FinFET。