第五十七章 关键鹰 (第1/4页)

    MOSFET可以说是最常见的晶体管，几乎不需要通过输入电流来控制负载电流。

    MOSFET多种多样，但是基本都能够分成两类，增强型和耗尽型。

    然后这两种类型可以用作n沟道或者p沟道。

    MOSFET是平面晶体管，而胡正明发明的FinFET架构则是3D的晶体管，3D晶体管能够克服晶体管本身可能遭遇的短沟道效应。

    简单来说FinFET能以更低的成本实现更高的性能指标。finFET的设计主要为突破25nm制程，解决mosFET由于制程缩小伴随的隧穿效应。退出转码页面，请下载app爱读小说阅读最新章节。

    当然从FinFET这个架构2000年被胡正明提出，到2001年胡正明加入台积电作为首席专家，台积电在2002年12月才拿出第一个真正意义上的FinFET晶体管。

    而一直到了2012年商用22nm的FinFET架构的晶体管才面世。

    这是一个非常漫长的过程。

    周新要讲的是MOSFET架构的某一种优化。

    带有些许的FinFET架构思想在其中。

    但是顺着这条路去思考，反而会走上弯路。

    “......我们可以发现当一端没有电压时，通道会显示最大电导。当两端电压同为正或同为负的时候，通道的电导率会降低。

    我们尝试关闭不导通的区域，让MOSFET在该区域工作的时候，把欧姆区作为放大器。

    在饱和区MOSFET的IDS是恒定的，尽管VDS增加并且一旦VDS超过夹断电压VP的值就会发生。