第四章 优化MOSFET模型 (第2/4页)


    这是相当不容易的一件事，要知道胡正明有超过九百篇论文。

    之所以要去找胡正明，除了看重对方在学术界的地位，更重要的还是对方在产业界的人脉。m.zwWX.ORg

    “尊敬的胡正明教授：

    我在通过阅读你关于热电子感应MOSFET退化模型的改进论文时，有了一些新的想法，可以用于改进你优化后的数学模型......”

    周新的打算很简单，还是得找胡正明，去伯克利把博士学位拿到，然后利用技术的领先优势，去硅谷创业。

    创业成功后再回华国。

    现在这个身份想在华国创业，难度太高。

    或者说想搞半导体的难度太高。

    稍作准备后，周新便给胡正明的电子邮件地址发了一封关于MOSFET模型进一步优化的论文过去。

    胡正明从1976年开始就在伯克利任教，一直邮箱就没有变过。

    从实际MOSFET晶体管出发，在复杂物理领域推演出数学模型，这是胡正明的得意之作。

    这篇发表自1985年的论文，被引用次数接近2000次，是他仅次于FinFETch架构的成果。

    在这个年代该数学模型被国际上38家大公司参与的晶体管模型理事会选为设计芯片的第一个且唯一的国际标准。

    从1985年发表该论文以来，一直有各种研究试图改进该模型。

    94年的时候有试图通过薄氮化氧化物来优化该模型的，95年有通过电子的热再发射来优化。

    但是这些研究都是通过物质层