第四章 优化MOSFET模型 (第3/4页)

面，通过改变晶体管材料，来实现优化MOSFET晶体管的目的。

    迟迟没有从数学模型层面出发，很好优化胡正明的MOSFET模型的结果。

    要知道此时离1985年过去了十三年。

    远在旧金山湾区的胡正明教授，每天早上和往常一样，先查阅一遍自己的邮箱。

    电子邮箱已经有十来年的历史，这十来年里，受益于电子邮箱，来自世界各地的科学家们交流变得更加频繁。

    对于胡正明来说，每天到办公室的第一件事，也从查收纸质邮件，变成了查收电子邮件。

    一封名为MOSFET模型优化的邮件，很快吸引了他的注意。

    毕竟作为该模型的创造者，胡正明本人也希望能够进一步优化它。

    可惜不管是他本人，还是其他科学家，都没有谁能够从数学模型的角度，对MOSFET进行优化。

    “......这种临界能量和观察到的时间依赖性可以用涉及=SisH键断裂的物理模型来解释。器件寿命与I-2sub9I1d9ΔV15t成正比。如果由于L小或Vd大等原因导致Isub变大，则τ会变小。因此，Isub（可能还有光发射）是τ的有力预测因子。

    已发现比例常数因不同技术而异，相差100倍，这为未来通过电介质/界面技术的改进提供了显着提高可靠性的希望。一个简单的物理模型可以将沟道场Em与所有器件参数和偏置电压相关联。描述了它在解释和指导热电子缩放中的用途。”

    因为胡正明构建的数学模型很简单，简单的描绘了MOSF